mos管規(guī)格書參數(shù)詳解之讀懂每一個mos管參數(shù)
在了解mos管規(guī)格書參數(shù)詳解之前，先來看看mos管的每一個參數(shù)代表什么及說明，mos管除了G、S、D引腳和N溝道m(xù)os管和P溝道m(xù)os管之外還有很多具體的參數(shù)，每個詳細參數(shù)如下：
Rds(on)----------DS的導通電阻.當Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻
Id------------------最大DS電流.會隨溫度的升高而降低
Vgs----------------最大GS電壓.一般為：-40V~+40V
Idm---------------最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低，體現(xiàn)一個抗沖擊能力，跟脈沖時間也有關系
Pd-----------------最大耗散功率
Tj------------------最大工作結溫，通常為150度和175度
Tstg---------------最大存儲溫度
Iar-----------------雪崩電流
Ear---------------重復雪崩擊穿能量
Eas---------------單次脈沖雪崩擊穿能量
BVdss------------DS擊穿電壓
Idss---------------飽和DS電流，uA級的電流
Igss---------------GS驅動電流，nA級的電流.
gfs----------------跨導
Qg----------------G總充電電量
Qgs--------------GS充電電量
Qgd-------------GD充電電量
Td(on)---------導通延遲時間，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
Tr----------------上升時間，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間
Td(off)----------關斷延遲時間，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關斷電壓時 10% 的時間
Tf-----------------下降時間，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間
Ciss---------------輸入電容，Ciss=Cgd + Cgs.
Coss--------------輸出電容，Coss=Cds +Cgd.
Crss---------------反向傳輸電容，Crss=Cgc.
mos管規(guī)格書參數(shù)詳解說明
（一）
說明：MOS管漏極和源極最大耐壓值。
測試條件：在Vgs=0V，柵極和源極不給電壓。
影響：超過的話會讓MOSFET損壞。
（二）
說明：ID的漏電流。
測試條件：在Vgs=0V，在漏極和源極兩端給48V的電壓。
影響：漏電流越大功耗越大。
（三）
說明：柵極漏電流
測試條件：在Vgs=+-20V，在漏極和源極兩端不給電壓。
（四）
說明：開啟電壓
測試條件：在Vgs=Vds，在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
影響：低于參考值可能出現(xiàn)不導通現(xiàn)象，設計時需要考慮范圍值。
（五）
說明：完全開啟，漏極和源極兩端最大過電流30A，
測試條件：在Vgs=Vds，在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
影響：低于參考值可能出現(xiàn)不導通現(xiàn)象，設計時需要考慮范圍值。
（六）
說明：導通時，Vds的內(nèi)阻
測試條件：在Vgs=10V，通過12A的電流；Vgs=4.5V，通過6A的電流，在漏極和源極兩端的內(nèi)阻。
影響：內(nèi)阻越小，MOS過的電流越大，相同電流下，功耗越小。
（七）
說明：跨導的單位是A/V。是源極電流Id比上柵極電壓Vgs，是柵極電壓對源極電流的控制作用大小，
跨導：
線性壓控電流源的性質可表示為方程 I=gV ，其中g是常數(shù)系數(shù)。系數(shù)g稱作跨導（或轉移電導），具有與電導相同的單位。 這個電路單元通常指放大器。
在MOS管中，跨導的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。在轉移特性曲線上，跨導為曲線的斜率。
（八）
說明：MOS管體二極管的正向導通壓降
測試條件：在VGS=0V，體二極管正向通過1A的電流。
（九）
說明：體二極管可承受最大連續(xù)續(xù)電流
測試條件：
影響：如果偏小，在設計降額不充裕的系統(tǒng)中或在測試OCP，OLP（逐周期電流限制保護（OCP)，限制最大輸出電流；過載保護(OLP)，限制最大輸出功率；的過程中會引起電流擊穿的風險
（十）
說明：
Ciss=Cgs+Cgd 輸入電容
Coss=Cds+Cgd 輸出電容
Crss=Cgd（米勒電容）
影響：Ciss：影響到MOS管的開關時間，Ciss越大，同樣驅動能力下，開通和關斷時間就越慢，開關損壞也就越大。較慢的開關速度對應會帶來較好的EMI
Coss和Crss：這兩項參數(shù)對MOSFET關斷時間略有影響，其中Cgd會影響到漏極有異常高電壓時，傳輸?shù)組OSFET柵極電壓能力的大小，對雷擊測試項目有一點的影響。
（十一）
說明：
Qg：柵極總充電電量
Qgs：柵極充電電量
Qgd：柵極充電電量
tD（on）：漏源導通延遲時間
tr:漏源電路上升時間
tD（off）：漏源關斷延遲時間
tf:漏源電路下降時間
影響：參數(shù)與時間相互關聯(lián)的參數(shù)，開關速度越快對應的優(yōu)點是開關損耗越小，效率高，溫升低，對應的缺點是EMI特性差，MOSFET關斷尖峰過高。
mos管規(guī)格書參數(shù)詳解-MOS管發(fā)熱分析
1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。
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